?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
March, 2002 ± Rev. 0
1
Publication Order Number:
2N3819/D
2N3819
JFET VHF/UHF Amplifier
N±Channel ± Depletion
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain±Source Voltage
VDS
25
Vdc
Drain±Gate Voltage
VDG
25
Vdc
Gate±Source Voltage
VGS
25
Vdc
Drain Current
ID
100
mAdc
Forward Gate Current
IG(f)
10
mAdc
Total Device Dissipation
@ TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
350
2.8
mW
mW/°C
Storage Channel Temperature Range
Tstg
±65 to +150
°C
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
2N3819 TO±92
TO±92
CASE 29
STYLE 22
5000 Units/Box
2
3
1
2N3819 = Device Code
Y = Year
WW = Work Week
MARKING DIAGRAM
2N
3819
YWW
http://onsemi.com
3 DRAIN
1 SOURCE
2
GATE
相关PDF资料
2N5486RLRPG IC AMP RF N-CH 25V TO-92
32CTQ025 DIODE SCHOTTKY 25V 15A TO-220AB
4160164XX-3 HD3000S 3GSDI ADAP SGLPORT 3GBPS
505Q-0128-S010 ENCODER MAG QUADRATURE 5VDC
513385 SWITCH ROTARY SP-12POS BCD
52CPQ030 DIODE SCHOTTKY 30V 25A TO-247AC
60A18-8-060C IEM OTHER
60AD18-8-M-060C IEM OTHER
相关代理商/技术参数
2N3819 PBFREE 功能描述:TRANS JFET N-CH 25V 10MA TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:Digi-Reel? 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92 标准包装:1
2N3819 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92
2N3819 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92
2N3819/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:JFET VHF/UHF Amplifier
2N3819_02 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier
2N3819_D27Z 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
2N3819_D27Z_Q 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
2N3819_D74Z 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel